電子器件雜志 統計源期刊
主管單位：中華人民共和國教育部 主辦單位：東南大學
雙月刊 審稿周期：1-3個月 全年訂價：￥310.00
《電子器件》由孫立濤擔任主編，創刊于1978年，由中華人民共和國教育部主管、東南大學主辦的一本電子領域專業期刊。主要刊載該領域內的原創性研究論文、綜述和評論等，力求及時、準確、全面的反映該領域的政策、技術、應用市場及動態。
- 32-1416/TN 國內刊號
- 1005-9490 國際刊號
- 3025 發文量
- 0.65 影響因子
- 11456 總被引量
- 28-367 郵發代號
- 1978 創刊時間
電子器件期刊信息
- 出版語言：中文/英語
- 創刊時間：1978年
- 國際刊號：1005-9490
- 主編：孫立濤
- 紙張開本：A4
- 國內刊號：32-1416/TN
- 出版地區：江蘇
- 發行周期：雙月刊
- 郵發代號：28-367
電子器件期刊榮譽
電子器件投稿須知
1.題名：力求簡明、醒目，能準確反映文章主題。中文題名一般以25個漢字以內。
2.來稿請附相關的內容摘要和關鍵詞。內容摘要在稿件正文之前，以100—300字為宜，簡介主題范圍、目的方法、內容梗概、創新之處、主要結論。
3.編輯部對來稿有刪改權。不同意刪改的稿件請在稿件中聲明，編輯部保留對不同意刪改稿件進行撤換的權力。
4.稿件作者的署名之下標注每個作者的工作單位全稱及所在地的省或直轄市或自治區的地名、郵政編碼，同時附英文翻譯。
5.行文中的注釋一律使用腳注，每頁連續編號，腳注符號用①②……，其位置在標點符號前（引號除外）文字的右上角。注釋應是對正文的附加解釋或者補充說明，僅是參考或引用的文獻等內容一般不作為注釋出現。腳注請用宋體小5號。
電子器件編輯部聯系方式
地址：南京市四牌樓2號
郵編：210096
主編：孫立濤
電子器件發文選摘
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1、基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μm BCDliteTM工藝的微型CMOS五電極垂直型霍爾器件的研究
作者：湯偉; 呂飛; 張勝; 潘紅兵; 王敦輝
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2、5VpMOS器件的熱載流子注入退化機理
作者：楊翰琪; 劉小紅; 呂康; 魏家行; 孫偉鋒
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3、一種新型肖特基整流管設計
作者：閆麗紅; 王永順; 韓根亮
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4、一種新型的常通型GaN HEMT器件
作者：徐宏慶; 修強; 董耀文; 秦海鴻
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5、一種新型超級聯碳化硅結型場效應管
作者：修強; 董耀文; 彭子和; 秦海鴻; 游霞
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6、一種基于人工電磁超材料的寬帶MIMO天線去耦方法
作者：萬發雨; 李鶴鳴; 于兵; 葛俊祥
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7、一種應用于WLAN的抗金屬四頻段平面單極天線設計
作者：賈宇向
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8、基于改進粒子群優化算法nMOSFET壽命預測
作者：曹建生; 李凱群
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9、高性能柔性電極制備及其電化學性能研究
作者：李艷紅
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10、基于片上工藝的MOEMS光強差分測量加速度計研究
作者：薛國芳; 張培彥
電子器件期刊評價分析
年發文量和被引次數
影響因子和立即指數
電子器件期刊評價報告
| 年份 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 |
| 被引次數 | 760 | 878 | 994 | 1099 | 1101 | 1062 | 1124 | 1231 | 1234 | 1246 |
| 影響因子 | 0.47 | 0.5 | 0.54 | 0.59 | 0.58 | 0.62 | 0.65 | 0.76 | 0.8 | 0.88 |
| 立即指數 | 0.07 | 0.03 | 0.07 | 0.04 | 0.06 | 0.06 | 0.1 | 0.1 | 0.18 | 0.09 |
| 發文量 | 205 | 271 | 286 | 297 | 301 | 309 | 302 | 262 | 263 | 253 |
| 被引半衰期 | 5.45 | 6.08 | 5.81 | 5.07 | 4.6 | 3.89 | 3.76 | 3.62 | 3.62 | 3.51 |
| 引用半衰期 | 4.48 | 5.31 | 5.15 | 4.98 | 5.08 | 5.46 | 5.18 | 4.12 | 4.18 | 4.52 |
| 期刊他引率 | 0.75 | 0.68 | 0.66 | 0.65 | 0.72 | 0.86 | 0.86 | 0.85 | 0.89 | 0.91 |
| 平均引文率 | 10.8 | 10.9 | 11.5 | 11.7 | 11.8 | 13.1 | 13.5 | 14.4 | 15 | 15.9 |
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