半導體信息雜志 部級期刊
主管單位：中國半導體行業協會分立器件專業協會 信息產業部電子第五十五研究所 主辦單位：中國半導體行業協會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所
雙月刊 審稿周期：1個月內
《半導體信息》創刊于1990年，由中國半導體行業協會分立器件專業協會 信息產業部電子第五十五研究所主管、中國半導體行業協會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所主辦的一本電子領域專業期刊。主要刊載該領域內的原創性研究論文、綜述和評論等，力求及時、準確、全面的反映該領域的政策、技術、應用市場及動態。
- 1777 發文量
- 120 總被引量
- 1990 創刊時間
半導體信息期刊信息
- 出版語言：中文
- 創刊時間：1990年
- 曾用名：半導體信息報
- 紙張開本：A4
- 出版地區：江蘇
- 發行周期：雙月刊
半導體信息編輯部聯系方式
地址：南京市1601信箱43分箱（南京市中山東路524號）
郵編：210016
半導體信息發文選摘
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1、美國布法羅大學研制出耐壓1850V的氧化鎵晶體管提高器件功率并保持小體積、低質量
作者：--
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2、成都集成電路行業協會成立推進產業聯動、構建特色產業生態
作者：--
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3、宜普電源轉換公司推出100V,25mΩ的eGaN功率晶體管
作者：--
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4、意法半導體和Leti合作開發硅基氮化鎵功率轉換技術
作者：--
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5、氮化鎵（GaN）器件可滿足雷達、電子戰（EW）和通信系統所需的高性能、高功率和
作者：--
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6、臺達公司使用高壓GaN FET將電源尺寸縮小25%
作者：--
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7、雷神公司宣布在新生產的GEM-T攔截器中使用GaN發射器芯片
作者：--
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8、光電化學蝕刻可用于制造氮化鎵中高縱橫比深溝槽
作者：--
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9、高電子遷移率的磁感應氮化鎵晶體管
作者：--
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10、集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模塊
作者：--
半導體信息期刊評價分析
年發文量和被引次數
影響因子和立即指數
半導體信息期刊評價報告
| 年份 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 |
| 被引次數 | 0.006 | 0 | 0.005 | 0 | 0.006 | 0.006 | 0 | 0 |
| 影響因子 | 176 | 190 | 194 | 147 | 167 | 161 | 152 | 148 |
| 立即指數 | 1.25 | 2.5 | 2 | 3.25 | 2.56 | 3.4 | 3.33 | 4.38 |
| 發文量 | 0.008 | 0.011 | 0.008 | 0.013 | 0.021 | 0.016 | 0.018 | 0.003 |
| 被引半衰期 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| 引用半衰期 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 期刊他引率 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| 平均引文率 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
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